MSC035SMA170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 200А; 370Вт, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: MSC035SMA170B
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 200А; 370Вт
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: SiC
- Drain current: 48A
- Gate charge: 178nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Drain-source voltage: 1.7kV
- Pulsed drain current: 200A
- Mounting: THT
- Case: TO247-3
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 45mΩ
- Power dissipation: 370W