Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
Bipolar Transistor, Type: DN350T05-7, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=900 mV, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=1 V, Co