PSMN2R0-60ES.127, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 338Вт; I2PAK, NEXPERIA
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: PSMN2R0-60ES.127
- Производитель: NEXPERIA
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 338Вт; I2PAK
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 120A
- Gate charge: 137nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tube
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 60V
- Mounting: THT
- Case: I2PAK
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 5.1mΩ
- Power dissipation: 338W