IXTA18P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO263, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXTA18P10T
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO263
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: TrenchP™
- Drain current: -18A
- Reverse recovery time: 62ns
- Gate charge: 39nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tube
- Gate-source voltage: ±15V
- Drain-source voltage: -100V
- Mounting: SMD
- Case: TO263
- Type of transistor: P-MOSFET
- On-State Resistance: 0.12Ω
- Power dissipation: 83W