IXTH1N300P3HV, Транзистор: N-MOSFET; 3кВ; 1А; 195Вт; TO247HV; 1,8мкс, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXTH1N300P3HV
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 3кВ; 1А; 195Вт; TO247HV; 1,8мкс
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 1A
- Reverse recovery time: 1.8µs
- Channel kind: enhanced
- Kind of package: tube
- Drain-source voltage: 3kV
- Features of semiconductor devices: standard power mosfet
- Mounting: THT
- Case: TO247HV
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 50Ω
- Power dissipation: 195W