IXTH3N200P3HV, Транзистор: N-MOSFET; 2кВ; 3А; 520Вт; TO247HV; 420нс, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXTH3N200P3HV
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 2кВ; 3А; 520Вт; TO247HV; 420нс
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 3A
- Reverse recovery time: 420ns
- Gate charge: 70nC
- Channel kind: enhanced
- Kind of package: tube
- Drain-source voltage: 2kV
- Features of semiconductor devices: standard power mosfet
- Mounting: THT
- Case: TO247HV
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 5Ω
- Power dissipation: 520W
