IXTH4N100L, Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 4А; 290Вт; TO247-3; 1,1мкс, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXTH4N100L
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 4А; 290Вт; TO247-3; 1,1мкс
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 4A
- Reverse recovery time: 1.1µs
- Gate charge: 75nC
- Channel kind: enhanced
- Kind of package: tube
- Drain-source voltage: 1kV
- Features of semiconductor devices: linear power mosfet
- Mounting: THT
- Case: TO247-3
- Type of transistor: N-MOSFET
- Power dissipation: 290W