IXTH4N150, Транзистор: N-MOSFET; 1,5кВ; 4А; 280Вт; TO247-3; 900нс, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXTH4N150
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 1,5кВ; 4А; 280Вт; TO247-3; 900нс
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 4A
- Reverse recovery time: 900ns
- Gate charge: 44.5nC
- Channel kind: enhanced
- Kind of package: tube
- Drain-source voltage: 1.5kV
- Features of semiconductor devices: standard power mosfet
- Mounting: THT
- Case: TO247-3
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 6Ω
- Power dissipation: 280W