Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIXTP160N10T

IXTP160N10T, Транзистор: N-MOSFET; Trench™; полевой; 100В; 160А; 430Вт; TO220AB, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXTP160N10T
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Trench™; полевой; 100В; 160А; 430Вт; TO220AB
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: Trench™
    • Drain current: 160A
    • Reverse recovery time: 60ns
    • Gate charge: 132nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tube
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 100V
    • Mounting: THT
    • Case: TO220AB
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 7mΩ
    • Power dissipation: 430W