IXTP160N10T, Транзистор: N-MOSFET; Trench™; полевой; 100В; 160А; 430Вт; TO220AB, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXTP160N10T
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Trench™; полевой; 100В; 160А; 430Вт; TO220AB
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: Trench™
- Drain current: 160A
- Reverse recovery time: 60ns
- Gate charge: 132nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tube
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 100V
- Mounting: THT
- Case: TO220AB
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 7mΩ
- Power dissipation: 430W