IXTQ26N60P, Транзистор: N-MOSFET; 600В; 26А; 460Вт; TO3P; 500нс, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXTQ26N60P
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 600В; 26А; 460Вт; TO3P; 500нс
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 26A
- Reverse recovery time: 500ns
- Gate charge: 72nC
- Channel kind: enhanced
- Kind of package: tube
- Drain-source voltage: 600V
- Features of semiconductor devices: standard power mosfet
- Mounting: THT
- Case: TO3P
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 0.27Ω
- Power dissipation: 460W