IXTQ60N20L2, Транзистор: N-MOSFET; 200В; 60А; 540Вт; TO3P; 330нс, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXTQ60N20L2
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 200В; 60А; 540Вт; TO3P; 330нс
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 60A
- Reverse recovery time: 330ns
- Gate charge: 255nC
- Channel kind: enhanced
- Kind of package: tube
- Drain-source voltage: 200V
- Features of semiconductor devices: linear power mosfet
- Mounting: THT
- Case: TO3P
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 0.045Ω
- Power dissipation: 540W