IXTT11P50, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -11А; 300Вт; TO268; 500нс, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXTT11P50
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -11А; 300Вт; TO268; 500нс
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: -11A
- Reverse recovery time: 500ns
- Gate charge: 145nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tube
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: -500V
- Mounting: SMD
- Case: TO268
- Type of transistor: P-MOSFET
- On-State Resistance: 0.75Ω
- Power dissipation: 300W