Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIXTY18P10T

IXTY18P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO252, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXTY18P10T
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO252
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: TrenchP™
    • Drain current: -18A
    • Reverse recovery time: 62ns
    • Gate charge: 39nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tube
    • Gate-source voltage: ±15V
    • Drain-source voltage: -100V
    • Mounting: SMD
    • Case: TO252
    • Type of transistor: P-MOSFET
    • On-State Resistance: 0.12Ω
    • Power dissipation: 83W