FDB035N10A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 856А; 333Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FDB035N10A
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 856А; 333Вт; D2PAK
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 120A
- Gate charge: 116nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 100V
- Pulsed drain current: 856A
- Mounting: SMD
- Case: D2PAK
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 3.5mΩ
- Power dissipation: 333W