Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиFDB12N50FTM-WS

FDB12N50FTM-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,9А; Idm: 46А; 165Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FDB12N50FTM-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,9А; Idm: 46А; 165Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FDB12N50FTM-WS
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,9А; Idm: 46А; 165Вт; D2PAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: UniFET™
    • Drain current: 6.9A
    • Gate charge: 30nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Drain-source voltage: 500V
    • Pulsed drain current: 46A
    • Mounting: SMD
    • Case: D2PAK
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 700mΩ
    • Power dissipation: 165W