FDB12N50FTM-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,9А; Idm: 46А; 165Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FDB12N50FTM-WS
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,9А; Idm: 46А; 165Вт; D2PAK
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: UniFET™
- Drain current: 6.9A
- Gate charge: 30nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: 500V
- Pulsed drain current: 46A
- Mounting: SMD
- Case: D2PAK
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 700mΩ
- Power dissipation: 165W