FDD8N50NZTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,9А; Idm: 26А; 90Вт; DPAK, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FDD8N50NZTM
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,9А; Idm: 26А; 90Вт; DPAK
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 3.9A
- Gate charge: 18nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: ±25V
- Drain-source voltage: 500V
- Pulsed drain current: 26A
- Mounting: SMD
- Case: DPAK
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 850mΩ
- Power dissipation: 90W