FDN537N, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FDN537N
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 8A
- Gate charge: 8.4nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 30V
- Pulsed drain current: 25A
- Mounting: SMD
- Case: SOT23
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 30mΩ
- Power dissipation: 1.5W