FDS2670, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3А; Idm: 20А; 2,5Вт; SO8, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FDS2670
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3А; Idm: 20А; 2,5Вт; SO8
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 3A
- Gate charge: 43nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 200V
- Pulsed drain current: 20A
- Mounting: SMD
- Case: SO8
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 275mΩ
- Power dissipation: 2.5W