FDS6692A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 48А; 1,47Вт; SO8, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FDS6692A
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 48А; 1,47Вт; SO8
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 9A
- Gate charge: 29nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 30V
- Pulsed drain current: 48A
- Mounting: SMD
- Case: SO8
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 19mΩ
- Power dissipation: 1.47W