Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиSTB11N65M5

STB11N65M5, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 650В; 5,6А; Idm: 36А, STM

Арт:
STB11N65M5, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 650В; 5,6А; Idm: 36А, STM
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: STB11N65M5
  • Производитель: STM
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 650В; 5,6А; Idm: 36А
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: MDmesh™ M5
    • Drain current: 5.6A
    • Gate charge: 17nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±25V
    • Drain-source voltage: 650V
    • Pulsed drain current: 36A
    • Mounting: SMD
    • Case: D2PAK
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 480mΩ
    • Power dissipation: 85W