STB11N65M5, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 650В; 5,6А; Idm: 36А, STM
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: STB11N65M5
- Производитель: STM
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 650В; 5,6А; Idm: 36А
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: MDmesh™ M5
- Drain current: 5.6A
- Gate charge: 17nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: ±25V
- Drain-source voltage: 650V
- Pulsed drain current: 36A
- Mounting: SMD
- Case: D2PAK
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 480mΩ
- Power dissipation: 85W