Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиFDB3632

FDB3632, MOSFET, Single - N-Channel, 100V, 80A, 310W, TO-263, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 302-40-258
FDB3632, MOSFET, Single - N-Channel, 100V, 80A, 310W, TO-263, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-40-258
  • Наименование: FDB3632
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: MOSFET, Single - N-Channel, 100V, 80A, 310W, TO-263
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • MOSFET, Type: FDB3632, Continuous Drain Current (Id)=80 A, Drain-Source Voltage (Vds)=100 V, Fall Time=46 ns, Gate-Source Voltage=20 V, ON Res