Технические параметры
- Корпус: DirectFET
- Монтаж: SMD
- Мощность: 104 Вт
- Ток стока: 31 А
- Полярность: полевой
- Заряд затвора: 42нC
- Тип транзистора: МОП n-канальный
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 2.7 мО м
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.2К/Вт