Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиFQB33N10TM

FQB33N10TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; 127Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQB33N10TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; 127Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQB33N10TM
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; 127Вт; D2PAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Power: 127W
    • Technology: QFET®
    • Drain current: 23A
    • Gate charge: 51nC
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: reel
    • Transistor type: N-MOSFET
    • Gate-source voltage: ±25V
    • Drain-source voltage: 100V
    • Mounting: SMD
    • Case: D2PAK
    • On-State Resistance: 52mΩ