FQB33N10TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; 127Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FQB33N10TM
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; 127Вт; D2PAK
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Power: 127W
- Technology: QFET®
- Drain current: 23A
- Gate charge: 51nC
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: reel
- Transistor type: N-MOSFET
- Gate-source voltage: ±25V
- Drain-source voltage: 100V
- Mounting: SMD
- Case: D2PAK
- On-State Resistance: 52mΩ