IRLS3813TRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 156А; 195Вт; D2PAK, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IRLS3813TRLPBF
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 156А; 195Вт; D2PAK
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: HEXFET®
- Drain current: 156A
- Gate charge: 55nC
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: reel
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 30V
- Mounting: SMD
- Case: D2PAK
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 1.95mΩ
- Power dissipation: 195W