Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиBSS123

BSS123, Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 100В; 0,16А; SOT23, YANGJIE TECHNOLOGY

Арт:
BSS123, Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 100В; 0,16А; SOT23, YANGJIE TECHNOLOGY
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: BSS123
  • Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 100В; 0,16А; SOT23
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: TRENCH POWER MV
    • Drain current: 0.16A
    • Gate charge: 2.5nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 100V
    • Pulsed drain current: 0.8A
    • Mounting: SMD
    • Case: SOT23
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 5.5Ω
    • Power dissipation: 0.35W