AFGB40T65SQDN, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 119Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: AFGB40T65SQDN
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 119Вт; D2PAK
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Application: automotive industry
- Collector current: 40A
- Collector-emitter voltage: 650V
- Gate charge: 76nC
- Kind of package: tape
- Gate - emitter voltage: ±20V
- Pulsed collector current: 160A
- Mounting: SMD
- Case: D2PAK
- Type of transistor: IGBT
- Power dissipation: 119W