КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторы IGBTIRFHS8342TRPBF

IRFHS8342TRPBF, Power FET PQFN-6 (2x2) N 30 V 19 A, IR

Арт: 300-38-475
  • добавить в избранное
  • Арт: 300-38-475
  • Наименование: IRFHS8342TRPBF
  • Производитель: IR
  • Доп.наименование: Power FET PQFN-6 (2x2) N 30 V 19 A
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Семейство
    Logic level gate drive Low on-resistance Технические параметры
    • Polarity: N
    • Housing type: PQFN-6 (2x2)
    • Drain current: 19 A
    • Closing resistance: 25 mOhm
    • Drain source voltage: 30 V



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*