Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTAPT150GN120J

APT150GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B, MICROSEMI

Арт:
APT150GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT150GN120J
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: Trench
    • Application: SMPS
    • Collector current: 99A
    • Module type: IGBT
    • Electrical mounting: screw
    • Mechanical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Pulsed collector current: 450A
    • Case: SOT227B