APT50GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT50GF120JRD
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B
- Склад:
Технические параметры
- Technology: NPT
- Collector current: 64A
- Module type: IGBT
- Electrical mounting: screw
- Mechanical mounting: screw
- Gate - emitter voltage: ±30V
- Off state voltage max.: 1.2kV
- Semiconductor structure: single transistor
- Pulsed collector current: 225A
- Case: SOT227B