APT50GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT50GP60J
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B
- Склад:
Технические параметры
- Technology: PT
- Collector current: 46A
- Module type: IGBT
- Electrical mounting: screw
- Mechanical mounting: screw
- Gate - emitter voltage: ±20V
- Off state voltage max.: 600V
- Semiconductor structure: single transistor
- Pulsed collector current: 190A
- Case: SOT227B