Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTAPT50GT120JRDQ2

APT50GT120JRDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B, MICROSEMI

Арт:
APT50GT120JRDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT50GT120JRDQ2
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: NPT
    • Collector current: 50A
    • Module type: IGBT
    • Electrical mounting: screw
    • Mechanical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Pulsed collector current: 150A
    • Case: SOT227B