APT75GP120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT75GP120JDQ3
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: POWER MOS 7®
- Collector current: 57A
- Module type: IGBT
- Electrical mounting: screw
- Mechanical mounting: screw
- Gate - emitter voltage: ±20V
- Off state voltage max.: 1.2kV
- Semiconductor structure: single transistor
- Pulsed collector current: 300A
- Case: SOT227B
- Power dissipation: 543W