SKM200GB12V, Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:237А; Ifsm:990А; SEMITRANS3; V: D56, SEMIKRON
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: SKM200GB12V
- Производитель: SEMIKRON
- Доп.наименование: Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:237А; Ifsm:990А; SEMITRANS3; V: D56
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Topology: IGBT half-bridge
- Collector current: 237A
- Module type: IGBT
- Electrical mounting: screw
- Gate - emitter voltage: ±20V
- Off state voltage max.: 1.2kV
- Semiconductor structure: transistor/transistor
- Pulsed collector current: 990A
- Mounting: screw
- Case: SEMITRANS3
- Version: D56