Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTFF50R12RT4HOSA1

FF50R12RT4HOSA1, Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:50А; P:285Вт; Ifsm:100А; AG-34MM-1, Infineon

Арт:
FF50R12RT4HOSA1, Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:50А; P:285Вт; Ifsm:100А; AG-34MM-1, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FF50R12RT4HOSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:50А; P:285Вт; Ifsm:100А; AG-34MM-1
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Power: 285W
    • Topology: IGBT half-bridge
    • Collector current: 50A
    • Operating temperature: -40...125°C
    • Module type: IGBT
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Max. forward impulse current: 100A
    • Mounting: screw
    • Case: AG-34MM-1