FF50R12RT4HOSA1, Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:50А; P:285Вт; Ifsm:100А; AG-34MM-1, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FF50R12RT4HOSA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:50А; P:285Вт; Ifsm:100А; AG-34MM-1
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Power: 285W
- Topology: IGBT half-bridge
- Collector current: 50A
- Operating temperature: -40...125°C
- Module type: IGBT
- Electrical mounting: screw
- Gate - emitter voltage: ±20V
- Off state voltage max.: 1.2kV
- Semiconductor structure: transistor/transistor
- Max. forward impulse current: 100A
- Mounting: screw
- Case: AG-34MM-1