КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTHGTG10N120BND

HGTG10N120BND, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 298Вт; TO247, Fairchild Semiconductor

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: HGTG10N120BND
  • Производитель: Fairchild Semiconductor
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 298Вт; TO247
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Технические параметры
    • Корпус: TO247
    • Монтаж: THT
    • Мощность: 298Вт
    • Ток коллектора: 35А
    • Тип транзистора: IGBT
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 1.2кВ



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*