NTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт; SOT363, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: NTJD4001NT1G
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт; SOT363
- Склад:
Технические параметры
- Drain current: 0.18A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 30V
- Mounting: SMD
- Case: SOT363
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 1.5Ω
- Power dissipation: 0.272W