NTJS4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 1Вт; SOT363, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: NTJS4151PT1G
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 1Вт; SOT363
- Склад:
Технические параметры
- Drain current: -2.4A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±12V
- Drain-source voltage: -20V
- Mounting: SMD
- Case: SOT363
- Type of transistor: P-MOSFET
- On-State Resistance: 60mΩ
- Power dissipation: 1W