Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTIXBH42N170A

IXBH42N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 21А; 357Вт; TO247-3, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXBH42N170A
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 21А; 357Вт; TO247-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: BiMOSFET™
    • Collector current: 21A
    • Collector-emitter voltage: 1.7kV
    • Gate charge: 188nC
    • Turn-on time: 33ns
    • Turn-off time: 308ns
    • Kind of package: tube
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Pulsed collector current: 265A
    • Features of semiconductor devices: high voltage
    • Mounting: THT
    • Case: TO247-3
    • Type of transistor: IGBT
    • Power dissipation: 357W