КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTSKM200GB126D

SKM200GB126D, Модули IGBT SEMITRANS 3 1200 V, SEMIKRON

Арт: 171-00-313
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-00-313
  • Наименование: SKM200GB126D
  • Производитель: SEMIKRON
  • Доп.наименование: Модули IGBT SEMITRANS 3 1200 V
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Модули IGBT
    Старый арт.: 71-003-13 Семейство Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором, паз, полумост, SEMITRANS
    Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором под паз
    Низкое напряжение проводимости Технические параметры
    • Крепление: 2 x M6 x 16
    • Соединение: 3 x M6 x 12
    • Configuration: Half-Bridge
    • Ток коллектора: 260 A Tc=25 °C
    • Указание по заказу: Винты заказываются отдельно, см. Раздел 48
    • Напряжение коллектор-эммитер: 1200 V
    • Рассеяние энергии во время включения: 18 mJ
    • Рассеяние энергии во время выключения: 24 mJ
    • Напряжение насыщения коллектор-эммитер: 1.7 V
    • Тип корпуса: SEMITRANS 3



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*