Модули IGBT Семейство Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором, паз, полумост, SEMITRANS
Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором под паз
Низкое напряжение проводимости Технические параметры
- Крепление: 2 x M6 x 16
- Соединение: 3 x M6 x 12
- Тип корпуса: SEMITRANS 3
- Configuration: Half-Bridge
- Ток коллектора: 260 A Tc=25 °C
- Указание по заказу: Винты заказываются отдельно, см. Раздел 48
- Напряжение коллектор-эммитер: 1200 В
- Рассеяние энергии во время включения: 18 mJ
- Рассеяние энергии во время выключения: 24 mJ
- Напряжение насыщения коллектор-эммитер: 1.7 В