КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTSKM200GB12E4

SKM200GB12E4, Модули IGBT SEMITRANS 3 1200 V, SEMIKRON

Арт: 171-01-154
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-01-154
  • Наименование: SKM200GB12E4
  • Производитель: SEMIKRON
  • Доп.наименование: Модули IGBT SEMITRANS 3 1200 V
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Модули IGBT
    Старый арт.: 71-011-54 Семейство Модули биполярного транзистора с изолированным затвором, SPT, полумост, SEMITRANS
    Модули биполярного транзистора с изолированным затвором с мягким пробоем базы (SPT)
    Оптимизированные потери от прямого тока мощности и переключения
    Подходит для коммутации с частотой до 20 kHz Технические параметры
    • Крепление: 2 x M6
    • Соединение: 3 x M6 x 12
    • Configuration: Half-Bridge
    • Ток коллектора: 314 A Tc=25 °C
    • Напряжение коллектор-эммитер: 1200 V
    • Рассеяние энергии во время включения: 21 mJ
    • Рассеяние энергии во время выключения: 20 mJ
    • Напряжение насыщения коллектор-эммитер: 1.8 V
    • Тип корпуса: SEMITRANS 3



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*