Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыАналоговые микросхемыВЧ микросхемыМикросхемы ВЧ-усилителейSST12LF02-QXCE

SST12LF02-QXCE, Передний модуль с высоким коэффициентом усиления UQFN-16, SST SILICON STORAGE

Арт: 173-88-020
SST12LF02-QXCE, Передний модуль с высоким коэффициентом усиления UQFN-16, SST SILICON STORAGE
  • добавить в избранное
  • Арт: 173-88-020
  • Наименование: SST12LF02-QXCE
  • Производитель: SST SILICON STORAGE
  • Доп.наименование: Передний модуль с высоким коэффициентом усиления UQFN-16
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Передний модуль с высоким коэффициентом усиления
    WLAN 11b/g/n FEM (PA+SP3T), InGaP/GaAs технология HBT Семейство Высокочастотные усилители мощности Технические параметры
    • Корпус: UQFN-16
    • Питание: 3.0...3.6 V
    • Частота: 2.4...2.5 GHz
    • Выход P1: 22 dBm
    • Импеданс: 50 Ω
    • Усиление: 29 dB
    • Выход IP3: 21 dBm
    • Ток питания:
      165 mA
    • Рабочая температура: -40...+85 °C
    • Напряжение питания, мин.: 3.0 В
    • Напряжение питания, макс.: 3.6 В
    • Рабочая температура, мин.: -40 °C
    • Рабочая температура, макс.: +85 °C