СИД Семейство СИДы, ø 8 mm Технические параметры
- Технология: GaAsP/GaP
- Тип корпуса: диффузный
- Размер линзы: 8 mm (T2½)
- Цвет корпуса: желтый
- Цвет освещения: желтый
- Угол рассеивания: 60 °
- Прямое напряжение: 2.1 В
- Длина пиковой волны: 590 nm
- Рабочая температура: -40...+85 °C
- Интенсивность освещения: 50 mcd
- Доминирующая длина волны: 588 nm
- Рабочая температура, мин.: -40 °C
- Рабочая температура, макс.: +85 °C
- Напряжение проводимости, макс.: 2.1 В
- Номинальный ток в закрытом состоянии: 20 мА