Кластер ИК-СИД Семейство Кластеры инфракрасных СИДов Технические параметры
- Диаметр: 52 мм
- Технология: GaAIAs
- Цвет освещения: инфракрасный
- Пиковая длина волны: 880 nm
- Рабочая температура: -40...+70 °C
- Интенсивность излучения: 480...800 mW/sr
- Напряжение проводимости: 6.5 В
- Рабочая температура, мин.: -40 °C
- Рабочая температура, макс.: +70 °C