H11G1M, Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:4,17кВ; Uce:100В, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: H11G1M
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:4,17кВ; Uce:100В
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Корпус: DIP6
- Монтаж: THT
- CTR@If: 100%@10mA
- Вид выхода: транзисторный
- Кол-во каналов: 1
- Напряжение коллектор-эмиттер: 100В
- Тип полупроводникового элемента: оптрон
- Напряжение изоляции: 4.17кВ