Технические параметры
- Корпус: DIP8
- Внешние размеры: 9.86 x 6.4 x 2.7мм
- Рабочая температура: -40...85°C
- Исполнение реле: PhotoMOS
- Рабочий ток макс.: 100мА
- Управляющий ток макс.: 3мА
- Сопротивление в открытом состоянии: 26Ом
- Тип реле: полупроводниковое
- Время срабатывания: 0.8мс
- Коммутируемое напряжение: макс. 400В AC