ГлавнаяНовости компании ВЕСТ-ЭЛТранзистор IGBT 1200V 120A IXDN75N120 от IXYS
Транзистор IGBT 1200V 120A IXDN75N120 от IXYS

Транзистор IGBT 1200V 120A IXDN75N120 от IXYS

15.11.2018

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) SOT-227B 1200V 120A, IXDN75N120 от компании IXYS отличается низким напряжением насыщения, технологией NPT IGBT, высоким качеством и демократичной ценой. IGBT транзистор находит широкое применение, в частности, в инверторах, блоках питания, преобразователях DC-DC, сервоприводах, робототехнике, промышленной автоматике.

Описание:

IXYS_IGBT_110x110
  • Технология NPT
  • Низкие коммутационные потери
  • SCSOA без диода с накоплением заряда
  • Высокая удельная мощность
  • Класс переключения: C3 Class
  • Конструкция диода: транзистор/транзистор
  • Легко монтируется с помощью 2-х винтов 

Технические характеристики:

Тип корпуса: SOT-227B
Ток коллектора: 120 А
Мощность: 660Вт
Время отключения тока: 70 ns
Напряжение пробоя коллектор-эммитер: 1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эммитер: 3.5 В
Рассеяние мощности: 630 Вт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.2 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Рабочая температура: - 40...+150 C

Модуль IXYS IXDN75N120 вы можете заказать на сайте.

Широкий ассортимент высококачественных продуктов IXYS по доступной цене и в приемлемые сроки поставки вы можете найти на нашем сайте, перейдя по ссылке. Если вы не нашли то что искали, обращайтесь с вопросами на электронную почту info@west-l.ru