
Транзистор IGBT 1200V 120A IXDN75N120 от IXYS
15.11.2018Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) SOT-227B 1200V 120A, IXDN75N120 от компании IXYS отличается низким напряжением насыщения, технологией NPT IGBT, высоким качеством и демократичной ценой. IGBT транзистор находит широкое применение, в частности, в инверторах, блоках питания, преобразователях DC-DC, сервоприводах, робототехнике, промышленной автоматике.
Описание:
Технические характеристики:
Тип корпуса: SOT-227BТок коллектора: 120 А
Мощность: 660Вт
Время отключения тока: 70 ns
Напряжение пробоя коллектор-эммитер: 1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эммитер: 3.5 В
Рассеяние мощности: 630 Вт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.2 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Рабочая температура: - 40...+150 C
Модуль IXYS IXDN75N120 вы можете заказать на сайте.
Широкий ассортимент высококачественных продуктов IXYS по доступной цене и в приемлемые сроки поставки вы можете найти на нашем сайте, перейдя по ссылке. Если вы не нашли то что искали, обращайтесь с вопросами на электронную почту info@west-l.ru