Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

ГлавнаяКаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощности
Цены указаны без НДС
MMIX1F44N100Q3 Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; полевой; 1кВ; 30А; Idm: 110А; 694Вт
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; полевой; 1кВ; 30А; Idm: 110А; 694Вт
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMIX1F520N075T2 Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 75В; 500А; 830Вт; SMPD
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 75В; 500А; 830Вт; SMPD
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMIX1G120N120A3V1 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMIX1G320N60B3 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMIX1T550N055T2 Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 55В; 550А; Idm: 2кА; 830Вт
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 55В; 550А; Idm: 2кА; 830Вт
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMIX1T600N04T2 Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 40В; 600А; Idm: 2кА; 830Вт
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 40В; 600А; Idm: 2кА; 830Вт
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMIX1X100N60B3H1 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMIX1X200N60B3 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 120А; 625Вт; SMPD
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 120А; 625Вт; SMPD
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMIX1X200N60B3H1 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMIX1X340N65B4 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 650В; 295А; 1,2кВт; SMPD
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 650В; 295А; 1,2кВт; SMPD
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMIX1Y100N120C3H1 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 40А; 400Вт; SMPD
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 40А; 400Вт; SMPD
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMIX2F60N50P3 Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; полевой; 500В; 30А; Idm: 150А
Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; полевой; 500В; 30А; Idm: 150А
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMIX4B22N300 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 22А; 150Вт; SMPD
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 22А; 150Вт; SMPD
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMIX4G20N250 Транзистор: IGBT; 2,5кВ; 4А; 100Вт; SMPD; Топология: Н мост
Транзистор: IGBT; 2,5кВ; 4А; 100Вт; SMPD; Топология: Н мост
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MMJX1H40N150 Тиристор; 1,5кВ; SMD; SMPD; 15,5кА
Тиристор; 1,5кВ; SMD; SMPD; 15,5кА
производитель:
IXYS
Склад:
Цены указаны без НДС
MSC025SMA120J Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 54А; SOT227B; винтами; 278Вт
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 54А; SOT227B; винтами; 278Вт
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
MSC040SMA120J Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; винтами; 208Вт
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; винтами; 208Вт
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
MSC080SMA120J Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 26А; SOT227B; винтами; 200Вт
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 26А; SOT227B; винтами; 200Вт
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
MSC100SM70JCU2 Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А
Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
MSC100SM70JCU3 Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А
Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А
производитель:
MICROSEMI
Склад: